愛普生公司的QMEMS技術(shù)如何實(shí)現(xiàn)AT晶振高頻輸出
MHz晶體諧振器由于頻率較高,采用AT切割方式實(shí)現(xiàn)高頻振蕩。目前行業(yè)內(nèi)一般是用機(jī)械加工方式對(duì)石英晶體進(jìn)行切割,已使石英晶體達(dá)到指定的頻率,封裝后出廠。而愛普生基于40年左右的技術(shù)研發(fā)積累,在MHz無源晶振的生產(chǎn)工藝中摒棄了機(jī)械加工方式,采用QMEMS這種激光刻加工方式因其不受石英芯片大小的影響,可使石英片的形狀保持均一,即便是超小型的石英芯片,也能達(dá)到比機(jī)械加工更小的偏差。所以我們發(fā)現(xiàn)愛普生的MHz級(jí)晶振尺寸越做越小,功耗越做月低,目前1.0*0.8mm的小尺寸FA1008AN石英晶振已經(jīng)批量投產(chǎn)。
EPSON的QMEMS光刻技術(shù)是如何超越機(jī)械切割方式實(shí)現(xiàn)超越的呢?以下愛普生石英晶振晶體代理商-南山電子官方網(wǎng)站小編分別從普通的機(jī)械加工的痛點(diǎn)以及兩種切割方式對(duì)晶振溫度特性的對(duì)比方面做了簡(jiǎn)要介紹。對(duì)
【1】什么是反向臺(tái)形 AT 型石英晶體諧振器
英 語名稱中的“Mesa”這個(gè)詞起源于西班牙語,意思是“周圍是懸崖峭壁的臺(tái)形地貌”,通常把截面加工成臺(tái)形的半導(dǎo)體晶體管等稱為“臺(tái)形結(jié)構(gòu)”。反向臺(tái)形 AT 型石英晶體諧振器指把 AT 切割石英片的一部分(振蕩部分) 切割成凹陷的臺(tái)形的結(jié)構(gòu)(與臺(tái)形結(jié)構(gòu)相反)。反向臺(tái)形 AT 型石英晶體的結(jié)構(gòu)如圖 1 所示。AT 型石英晶體諧振器的石英片越薄,所起振的頻率越高。但是,通常機(jī)械性研磨實(shí)現(xiàn)批量、穩(wěn)定生產(chǎn)的頻率限度為以基波起振 50MHz 左右(石英片厚度為約 30μm)。如果需要使用 AT型石英晶體獲得大于上述限度的頻率,經(jīng)常使用高次振動(dòng)的振動(dòng)模式(三次諧波)達(dá)到 50MHz 至 150MHz。因此,為了獲得高頻,就需要使用復(fù)雜的電路控制三次諧波等振動(dòng)模式。愛普生應(yīng)用進(jìn)行光刻加工的 QMEMS 技術(shù),生產(chǎn)出只將激勵(lì)部分加工成幾微米的反向臺(tái)結(jié)構(gòu),既保證了芯片的強(qiáng)度又能以基波起振高頻,以此解決上述問題。
【2】愛普生公司的QMEMS技術(shù)如何實(shí)現(xiàn)AT晶振高頻輸出 ?
AT 型石英晶體的振蕩是典型的厚度變形振蕩,其理想的振蕩狀態(tài)是只在中央部分振蕩,而周圍部分不產(chǎn)生振蕩。對(duì)于 MHz 頻帶中較低頻帶的 AT 型石英晶體,大多使用倒角加工,使石英片的中央部分與周圍的厚度不同,從而獲得該效果。圖 2 表示原來的機(jī)械加工方式和使用了光刻加工的 QMEMS 方式的概略。由于機(jī)械加工利用石英芯片自身重量進(jìn)行加工,所以石英芯片越小,加工難度越大,偏差也隨之增加并影響特性。與此相比,QMEMS 技術(shù)的光刻加工不受石英芯片大小的影響,可使石英片的形狀保持均一,即便是超小型的石英芯片,也能達(dá)到比機(jī)械加工更小的偏差,從而實(shí)現(xiàn)圖 3 所示的優(yōu)越的溫度特性。
綜上所述,在高頻領(lǐng)域,也能夠使用 QMEMS 技術(shù)生產(chǎn)出圖 1 所示的反向臺(tái)結(jié)構(gòu),既保持石英芯片的強(qiáng)度,又能以基波起振高頻,以此提供具有穩(wěn)定性能的產(chǎn)品。
【3】使用反向臺(tái)形 AT 型石英晶體的產(chǎn)品及其特征
在愛普生的產(chǎn)品中,使用以 QMEMS 技術(shù)實(shí)現(xiàn)基波起振高頻的反向臺(tái)形 AT 型石英晶體的產(chǎn)品如下:
①SPXO(Simple Packaged Crystal Oscillator,石英晶體振蕩器)中的 SG-210S*H、SG-770***/SG-771***;
②VCXO(Voltage Controlled Crystal Oscillator,壓控晶體振蕩器)中的 VG-45**系列。
VCXO 的頻率隨外部施加的控制電壓而變化,主要應(yīng)用于基站和光傳送設(shè)備。近年,由于數(shù)據(jù)通信不斷趨向高速化及大容量化,市場(chǎng)對(duì)高頻與穩(wěn)定信號(hào)源的需求日益增加。因此,具有高頻、良好的溫度特性及優(yōu)越的噪
音特性的 AT型石英晶體已成為備受矚目的存在。
圖 4表示使用反向臺(tái)形 AT 型石英晶體的 VCXO 產(chǎn)品 VG-4513CB 與本公司原有產(chǎn)品(倍頻型)的失真成分比較。
本公司原有產(chǎn)品(以 122.88MHz 起振的 4 倍頻) VG-4513CB (以 491.52MHz 的基波起振)
為 獲得高頻而使用鎖相環(huán)或倍頻電路時(shí)(圖 4 左),其缺點(diǎn)是將產(chǎn)生信號(hào)以外的噪音(失真成分)導(dǎo)致抖動(dòng)特性下降。使用反向臺(tái)形 AT 型石英晶體時(shí)(圖 4 右)能以基波起振高頻,因此不會(huì)產(chǎn)生類似以前產(chǎn)品的失真成分,實(shí)現(xiàn)低抖動(dòng)特性。以基波直接起振高頻的優(yōu)勢(shì)大,我們認(rèn)為它將成為不斷增加的基礎(chǔ)設(shè)備的不可或 缺的關(guān)鍵部件。
愛普生AT型晶振的典型型號(hào)與參數(shù):
產(chǎn)品編碼 | 主要參數(shù) |
X1E000021011900 | TSX-3225 16MHz 12pF 10ppm |
X1E000021077100 | TSX-3225 16.384MHz 8pF 10ppm |
X1E000021011700 | TSX-3225 16MHz 9pF10PPM |
X1E000021086400 | TSX-3225 19.2MHz 12pF 10ppm |
X1E000021089200 | TSX-3225 19.2MHz 7pF 10ppm |
X1E000021062400 | TSX-3225 20MHz 12pF 10ppm |
X1E000021024600 | TSX-3225 20MHz 9pF 10ppm |
X1E000021012800 | TSX-3225 24MHz 10pF 10ppm |
X1E000021090700 | TSX-3225 24MHz 12pF 10ppm |
X1E000021026400 | TSX-3225 24MHz 18pF 10ppm |
X1E000021012600 | TSX-3225 24MHz 8pF 10ppm |
X1E000021012700 | TSX-3225 24MHz 9pF 10ppm |
X1E000021106300 | TSX-3225 24.576MHz 7pF 10ppm |
X1E000021064800 | TSX-3225 25MHz 18pF 10ppm |
X1E000021013600 | TSX-3225 25MHz 8pF 10ppm |
X1E000021013800 | TSX-3225 25MHz 10pF 10ppm |
X1E000021061000 | TSX-3225 25MHz 12pF 10ppm |
X1E000021080900 | TSX-3225 26MHz 10pF 10ppm |
X1E000021014700 | TSX-3225 26MHz 9pF 10ppm |
X1E000021015800 | TSX-3225 27MHz 10pF 10ppm |
X1E000021015900 | TSX-3225 27MHz 12pF 10ppm |
X1E000021068000 | TSX-3225 27.12MHz 10pF 10ppm |
X1E000021086000 | TSX-3225 27.12MHz 12pF 10ppm |
X1E000021059600 | TSX-3225 30MHz 10pF 10ppm |
X1E000021048100 | TSX-3225 30MHz 12pF 10ppm |
X1E000021029500 | TSX-3225 30MHz 9pF 10ppm |
X1E000021016700 | TSX-3225 32MHz 9pF 10ppm |
X1E000021016900 | TSX-3225 32MHz 12pF 10ppm |
X1E000021021800 | TSX-3225 38.4MHz 10pF 10ppm |
X1E000021017900 | TSX-3225 40MHz 12pF 10ppm |
X1E000021083400 | TSX-3225 48MHz 10pF 10ppm |
X1E000021076200 | TSX-3225 48MHz 18pF 10ppm |
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